מספר מוצר של יצרן:
SIA416DJ-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIA416DJ-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 11.3A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
מלאי:
2929 יחידות חדשות מק originales במלאי
12915054
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIA416DJ-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
83mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
295 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SC-70-6
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-70-6
מספר מוצר בסיסי
SIA416
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIA416DJT1GE3
SIA416DJ-T1-GE3DKR
SIA416DJ-T1-GE3CT
SIA416DJ-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDMA86151L
יצרן
onsemi
כמות זמינה
11404
DiGi מספר חלק
FDMA86151L-DG
מחיר ליחידה
0.40
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRLR024TRR
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRL520
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
SI7113DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
