SI8457DB-T1-E1
מספר מוצר של יצרן:

SI8457DB-T1-E1

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SI8457DB-T1-E1-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
תיאור מפורט:
P-Channel 12 V 6.5A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)

מלאי:

5800 יחידות חדשות מק originales במלאי
12918326
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SI8457DB-T1-E1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
19mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
900mV @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
93 nC @ 8 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2900 pF @ 6 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
חבילה / מארז
4-UFBGA
מספר מוצר בסיסי
SI8457

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SI8457DB-T1-E1DKR
SI8457DB-T1-E1CT
SI8457DB-T1-E1TR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SQD50P04-09L_GE3

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

vishay-siliconix

SI4840DY-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 10A 8SO

vishay-siliconix

SI4446DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO

vishay-siliconix

SI1413EDH-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6