SI7942DP-T1-E3
מספר מוצר של יצרן:

SI7942DP-T1-E3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SI7942DP-T1-E3-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 100V 3.8A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

מלאי:

12919508
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SI7942DP-T1-E3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.8A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
49mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
1.4W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8 Dual
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8 Dual
מספר מוצר בסיסי
SI7942

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SI7942DP-T1-E3DKR
SI7942DP-T1-E3CT
SI7942DP-T1-E3TR
SI7942DPT1E3
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
SP8K52FRATB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2460
DiGi מספר חלק
SP8K52FRATB-DG
מחיר ליחידה
0.42
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SH8KA7GZETB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2500
DiGi מספר חלק
SH8KA7GZETB-DG
מחיר ליחידה
0.76
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SH8K32TB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
10565
DiGi מספר חלק
SH8K32TB1-DG
מחיר ליחידה
0.63
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SI6562DQ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

vishay-siliconix

SI6983DQ-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP

vishay-siliconix

SI4834CDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

vishay-siliconix

SIZ350DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33