מספר מוצר של יצרן:
SI7913DN-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI7913DN-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 5A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
מלאי:
1751 יחידות חדשות מק originales במלאי
12911528
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI7913DN-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
37mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
1.3W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8 Dual
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8 Dual
מספר מוצר בסיסי
SI7913
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI7913DN-T1-GE3-DG
SI7913DN-T1-GE3CT
SI7913DNT1GE3
SI7913DN-T1-GE3TR
SI7913DN-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MKE38P600TLB-TRR
MOSFET ISOPLUS-SMPD
SI4561DY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
SI5948DU-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET