SI7850DP-T1-GE3
מספר מוצר של יצרן:

SI7850DP-T1-GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SI7850DP-T1-GE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 6.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

מלאי:

5695 יחידות חדשות מק originales במלאי
12911932
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SI7850DP-T1-GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
22mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SI7850

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SI7850DP-T1-GE3TR
SI7850DP-T1-GE3DKR
SI7850DPT1GE3
SI7850DP-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

IRFR014

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

vishay-siliconix

SI4825DDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO

vishay-siliconix

IRF720

MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB

vishay-siliconix

IRFD120

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP