מספר מוצר של יצרן:
SI7784DP-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI7784DP-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
12960146
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI7784DP-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1600 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
5W (Ta), 27.7W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SI7784
מידע נוסף
שמות אחרים
SI7784DP-T1-GE3CT
SI7784DP-T1-GE3TR
SI7784DP-T1-GE3DKR
SI7784DPT1GE3
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STL65N3LLH5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
3727
DiGi מספר חלק
STL65N3LLH5-DG
מחיר ליחידה
0.67
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STL66N3LLH5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STL66N3LLH5-DG
מחיר ליחידה
0.62
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
CSD17552Q5A
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
4929
DiGi מספר חלק
CSD17552Q5A-DG
מחיר ליחידה
0.35
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4136DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
IRFR9210TRPBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
SI4401DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
