מספר מוצר של יצרן:
SI7485DP-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI7485DP-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 12.5A (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
12913471
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI7485DP-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12.5A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.3mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
900mV @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
150 nC @ 5 V
תכונת FET
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SI7485
מידע נוסף
שמות אחרים
SI7485DPT1E3
SI7485DP-T1-E3DKR
SI7485DP-T1-E3TR
SI7485DP-T1-E3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXKN40N60C
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
SI3476DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
IXTK75N30
MOSFET N-CH 300V 75A TO264
