מספר מוצר של יצרן:
SI7464DP-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI7464DP-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
2790 יחידות חדשות מק originales במלאי
12919710
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI7464DP-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
240mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SI7464
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI7464DPT1E3
SI7464DP-T1-E3TR
SI7464DP-T1-E3CT
2266-SI7464DP-T1-E3
SI7464DP-T1-E3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
BSC22DN20NS3GATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
5719
DiGi מספר חלק
BSC22DN20NS3GATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.42
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PMN48XP,115
MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
SI7336ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
SI4686DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
