מספר מוצר של יצרן:
SI6966DQ-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI6966DQ-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
מלאי:
12915664
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI6966DQ-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
830mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-TSSOP
מספר מוצר בסיסי
SI6966
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SI6926ADQ-T1-E3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
16987
DiGi מספר חלק
SI6926ADQ-T1-E3-DG
מחיר ליחידה
0.33
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4908DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 5A 8SOIC
SI7909DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A PPAK 1212
SI4906DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8SOIC
