מספר מוצר של יצרן:
SI6913DQ-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI6913DQ-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 12V 4.9A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
מלאי:
20110 יחידות חדשות מק originales במלאי
12915488
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI6913DQ-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.9A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
900mV @ 400µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
830mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-TSSOP
מספר מוצר בסיסי
SI6913
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI6913DQ-T1-GE3TR
SI6913DQ-T1-GE3DKR
SI6913DQ-T1-GE3CT
SI6913DQT1GE3
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4913DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8SOIC
SI4554DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
SI4947ADY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 3A 8SOIC