מספר מוצר של יצרן:
SI6473DQ-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI6473DQ-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
מלאי:
12919530
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI6473DQ-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
450mV @ 250µA (Min)
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
70 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±8V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.08W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-TSSOP
חבילה / מארז
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SI6473
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4845DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 8SO
SI7455DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
SIHH27N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
