מספר מוצר של יצרן:
SI6443DQ-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI6443DQ-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 7.3A 8TSSOP
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 7.3A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
מלאי:
12918160
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI6443DQ-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.3A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
60 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.05W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-TSSOP
חבילה / מארז
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SI6443
מידע נוסף
שמות אחרים
SI6443DQ-T1-GE3DKR
SI6443DQ-T1-GE3TR
SI6443DQT1GE3
SI6443DQ-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR836DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
SUD17N25-165-E3
MOSFET N-CH 250V 17A TO252
SQM120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
