מספר מוצר של יצרן:
SI5999EDU-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI5999EDU-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
מלאי:
12919668
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI5999EDU-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
496pF @ 10V
הספק - מקס'
10.4W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® ChipFET™ Dual
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® ChipFet Dual
מספר מוצר בסיסי
SI5999
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI5999EDU-T1-GE3DKR
SI5999EDUT1GE3
SI5999EDU-T1-GE3CT
SI5999EDU-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7842DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
SI4904DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
SI4804BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC