מספר מוצר של יצרן:
SI5513CDC-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI5513CDC-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
מלאי:
12920618
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI5513CDC-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A, 3.7A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
55mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.2nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
285pF @ 10V
הספק - מקס'
3.1W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SMD, Flat Lead
חבילת מכשירים לספקים
1206-8 ChipFET™
מספר מוצר בסיסי
SI5513
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI5513CDCT1GE3
SI5513CDC-T1-GE3CT
SI5513CDC-T1-GE3DKR
SI5513CDC-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIA917DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
SI3993DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP
SQJ244EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
