מספר מוצר של יצרן:
SI5480DU-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI5480DU-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
מלאי:
12918032
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI5480DU-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
34 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1230 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® ChipFET™ Single
חבילה / מארז
PowerPAK® ChipFET™ Single
מספר מוצר בסיסי
SI5480
מידע נוסף
שמות אחרים
SI5480DU-T1-E3CT
SI5480DU-T1-E3DKR
SI5480DU-T1-E3TR
SI5480DUT1E3
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SI5418DU-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1882
DiGi מספר חלק
SI5418DU-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.45
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7344DP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
SQJA88EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
