SI4922BDY-T1-E3

מספר מוצר של יצרן:

SI4922BDY-T1-E3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SI4922BDY-T1-E3-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

תיאור מפורט:

Mosfet Array 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

מלאי:

13914 יחידות חדשות מק originales במלאי

12915014

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SI4922BDY-T1-E3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

Vishay

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

TrenchFET®

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

-

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

8A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.8V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

62nC @ 10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2070pF @ 15V

הספק - מקס'

3.1W

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

חבילת מכשירים לספקים

8-SOIC

מספר מוצר בסיסי

SI4922

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

SI4922BDY-T1-E3

גיליון נתונים של HTML

SI4922BDY-T1-E3-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

SI4922BDY-T1-E3DKR

SI4922BDY-T1-E3TR

SI4922BDYT1E3

SI4922BDY-T1-E3CT

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH info available upon request

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SI7913DN-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212

vishay-siliconix

SI4310BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC

vishay-siliconix

SI5513DC-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

vishay-siliconix

SI4539ADY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC