מספר מוצר של יצרן:
SI4862DY-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI4862DY-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 16V 17A 8SO
תיאור מפורט:
N-Channel 16 V 17A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12918000
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI4862DY-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
16 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.3mOhm @ 25A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
600mV @ 250µA (Min)
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
70 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.6W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SI4862
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RQ1C065UNTR
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2855
DiGi מספר חלק
RQ1C065UNTR-DG
מחיר ליחידה
0.18
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
BSS84_D87Z
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
SQJA46EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8