מספר מוצר של יצרן:
SI4814BDY-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI4814BDY-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12965834
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI4814BDY-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
LITTLE FOOT®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Half Bridge)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A, 10.5A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
3.3W, 3.5W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
SI4814
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF7904TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4573
DiGi מספר חלק
IRF7904TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.38
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQJ910AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
SI7900AEDN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
SI5517DU-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
