מספר מוצר של יצרן:
SI4630DY-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI4630DY-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 40A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12917455
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
GfdI
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI4630DY-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
40A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
161 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6670 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SI4630
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI4630DY-T1-E3DKR
SI4630DYT1E3
SI4630DY-T1-E3CT
SI4630DY-T1-E3TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RS1E350BNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
810
DiGi מספר חלק
RS1E350BNTB-DG
מחיר ליחידה
0.65
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RS3E095BNGZETB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2500
DiGi מספר חלק
RS3E095BNGZETB-DG
מחיר ליחידה
0.29
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RXH070N03TB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2498
DiGi מספר חלק
RXH070N03TB1-DG
מחיר ליחידה
0.32
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SI4630DY-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
2500
DiGi מספר חלק
SI4630DY-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.78
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI3442BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
SIR406DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
SI3433BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP
