מספר מוצר של יצרן:
SI4484EY-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI4484EY-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SO
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 4.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12965687
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI4484EY-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
34mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA (Min)
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SI4484
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI4484EY-T1-E3TR
SI4484EYT1E3
SI4484EY-T1-E3DKR
SI4484EY-T1-E3CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHA15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
R6535KNX3C16
650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
TK3R2A08QM,S4X
UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
