מספר מוצר של יצרן:
SI4453DY-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI4453DY-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
תיאור מפורט:
P-Channel 12 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12919130
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI4453DY-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
900mV @ 600µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
165 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±8V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SI4453
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHP35N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
SIHB35N60E-GE3
MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK
SUP53P06-20-GE3
MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
