מספר מוצר של יצרן:
SI4004DY-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI4004DY-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 12A (Tc) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12915700
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI4004DY-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 10 V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1280 pF @ 10 V
תכונת FET
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SI4004
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI4004DYT1GE3
SI4004DY-T1-GE3DKR
SI4004DY-T1-GE3CT
SI4004DY-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SI4178DY-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
2375
DiGi מספר חלק
SI4178DY-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.18
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RUS100N02TB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
138
DiGi מספר חלק
RUS100N02TB-DG
מחיר ליחידה
1.28
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SI4136DY-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1403
DiGi מספר חלק
SI4136DY-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.55
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI5402DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
SUM110N04-2M3L-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
BUK6607-55C,118
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK