מספר מוצר של יצרן:
SI3529DV-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI3529DV-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6TSOP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
מלאי:
12915565
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI3529DV-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.5A, 1.95A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
205pF @ 20V
הספק - מקס'
1.4W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
חבילת מכשירים לספקים
6-TSOP
מספר מוצר בסיסי
SI3529
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4808DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
SIA906EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
SI4931DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
