מספר מוצר של יצרן:
SI3457CDV-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI3457CDV-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 5.1A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
מלאי:
37438 יחידות חדשות מק originales במלאי
12920264
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI3457CDV-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
74mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
450 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta), 3W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-TSOP
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
מספר מוצר בסיסי
SI3457
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI3457CDV-T1-GE3-DG
SI3457CDV-T1-GE3CT
SI3457CDV-T1-GE3TR
SI3457CDVT1GE3
SI3457CDV-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQJA64EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
SIHP22N60S-E3
MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
SIR680DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8