SI3456DDV-T1-BE3

מספר מוצר של יצרן:

SI3456DDV-T1-BE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SI3456DDV-T1-BE3-DG

תיאור:

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 5A (Ta), 6.3A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

מלאי:

4500 יחידות חדשות מק originales במלאי

12977839

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SI3456DDV-T1-BE3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

5A (Ta), 6.3A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

40mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

9 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

325 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.7W (Ta), 2.7W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

6-TSOP

חבילה / מארז

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

742-SI3456DDV-T1-BE3CT

742-SI3456DDV-T1-BE3DKR

742-SI3456DDV-T1-BE3TR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SI3474DV-T1-BE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SQJ409EP-T2_GE3

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SIHA21N65EF-GE3

N-CHANNEL 600V

diodes

DMP3011SSS-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2