מספר מוצר של יצרן:
SI3446ADV-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI3446ADV-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 6A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
מלאי:
12917948
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI3446ADV-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
37mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.8V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
640 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-TSOP
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
מספר מוצר בסיסי
SI3446
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
ZXMN2B03E6TA
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
2518
DiGi מספר חלק
ZXMN2B03E6TA-DG
מחיר ליחידה
0.24
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RUQ050N02TR
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2985
DiGi מספר חלק
RUQ050N02TR-DG
מחיר ליחידה
0.31
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIA400EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
SUP90140E-GE3
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8