מספר מוצר של יצרן:
SI3443DDV-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI3443DDV-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 4A (Ta), 5.3A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
מלאי:
13976 יחידות חדשות מק originales במלאי
12916689
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI3443DDV-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Ta), 5.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 8 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
970 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-TSOP
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
מספר מוצר בסיסי
SI3443
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI3443DDV-T1-GE3DKR
SI3443DDV-T1-GE3CT
SI3443DDV-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFK170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO264AA
SQJ422EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
SIHD2N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
