מספר מוצר של יצרן:
SI3443BDV-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI3443BDV-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 3.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
מלאי:
6988 יחידות חדשות מק originales במלאי
12911580
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI3443BDV-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-TSOP
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
מספר מוצר בסיסי
SI3443
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI3443BDV-T1-E3TR
SI3443BDV-T1-E3DKR
SI3443BDV-T1-E3CT
SI3443BDVT1E3
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH36N60P
MOSFET N-CH 600V 36A TO247AD
IRF740LCL
MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
IRLR024TR
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
