מספר מוצר של יצרן:
SI2374DS-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI2374DS-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
מלאי:
10527 יחידות חדשות מק originales במלאי
12913692
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI2374DS-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
30mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
735 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3 (TO-236)
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
SI2374
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI2374DS-T1-GE3TR
SI2374DS-T1-GE3DKR
SI2374DS-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7489DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
SI4472DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8SO
SI4134DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
