מספר מוצר של יצרן:
SI2369BDS-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI2369BDS-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
מלאי:
30669 יחידות חדשות מק originales במלאי
13270160
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI2369BDS-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
27mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+16V, -20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
745 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3 (TO-236)
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
SI2369
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SI2369BDS-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMT3009UFVW-13
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
SIHD690N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
DMTH6006LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
