SI2333DS-T1-E3

מספר מוצר של יצרן:

SI2333DS-T1-E3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SI2333DS-T1-E3-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

תיאור מפורט:

P-Channel 12 V 4.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

מלאי:

55285 יחידות חדשות מק originales במלאי

12917771

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SI2333DS-T1-E3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

TrenchFET®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

12 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.1A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

32mOhm @ 5.3A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

18 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±8V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1100 pF @ 6 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

750mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SOT-23-3 (TO-236)

חבילה / מארז

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

מספר מוצר בסיסי

SI2333

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

SI2333DS-T1-E3-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

SI2333DS-T1-E3TR

SI2333DST1E3

SI2333DS-T1-E3DKR

SI2333DS-T1-E3CT

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SI7625DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIRA96DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHFL9110TR-GE3

MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

vishay-siliconix

SI3473DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP