מספר מוצר של יצרן:
SI2319DS-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI2319DS-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
תיאור מפורט:
P-Channel 40 V 2.3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
מלאי:
7091 יחידות חדשות מק originales במלאי
12920236
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI2319DS-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.3A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
82mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
470 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
750mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3 (TO-236)
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
SI2319
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI2319DS-T1-GE3CT
SI2319DS-T1-GE3TR
SI2319DS-T1-GE3DKR
SI2319DS-T1-GE3-DG
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7658ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIRA52DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SQ3461EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
