מספר מוצר של יצרן:
SI2318CDS-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI2318CDS-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 5.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
מלאי:
120886 יחידות חדשות מק originales במלאי
12912659
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI2318CDS-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
42mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
340 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3 (TO-236)
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
SI2318
מידע נוסף
שמות אחרים
SI2318CDS-T1-GE3TR
SI2318CDS-T1-GE3CT
SI2318CDST1GE3
SI2318CDS-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI3456CDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
SI4876DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
IRFU9220PBF
MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
