מספר מוצר של יצרן:
SI2312CDS-T1-BE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI2312CDS-T1-BE3-DG
תיאור:
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 5A (Ta), 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
מלאי:
12977897
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI2312CDS-T1-BE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Ta), 6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
865 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3 (TO-236)
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SI2312CDS-T1-BE3CT
742-SI2312CDS-T1-BE3TR
742-SI2312CDS-T1-BE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHP11N80E-BE3
N-CHANNEL 800V
SIRC16DP-T1-RE3
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
SIHL620STRL-GE3
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V