מספר מוצר של יצרן:
SI2309DS-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI2309DS-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
מלאי:
12915550
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI2309DS-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.25A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
340mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA (Min)
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.25W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3 (TO-236)
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
SI2309
מידע נוסף
שמות אחרים
SI2309DS-T1-E3TR
SI2309DS-T1-E3DKR
SI2309DS-T1-E3CT
SI2309DST1E3
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDN5618P
יצרן
onsemi
כמות זמינה
31131
DiGi מספר חלק
FDN5618P-DG
מחיר ליחידה
0.11
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
ZXMP6A13FQTA
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
12102
DiGi מספר חלק
ZXMP6A13FQTA-DG
מחיר ליחידה
0.18
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
NTR4502PT1G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
NTR4502PT1G-DG
מחיר ליחידה
0.07
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
DMP6350S-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
70321
DiGi מספר חלק
DMP6350S-7-DG
מחיר ליחידה
0.12
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHP7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
IRFR014TRR
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
IRFU224
MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA
