SI2301CDS-T1-GE3
מספר מוצר של יצרן:

SI2301CDS-T1-GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SI2301CDS-T1-GE3-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

מלאי:

222665 יחידות חדשות מק originales במלאי
12914459
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SI2301CDS-T1-GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
405 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3 (TO-236)
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
SI2301

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SI2301CDS-T1-GE3TR
SI2301CDS-T1-GE3DKR
SI2301CDST1GE3
SI2301CDS-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SI1473DH-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6

vishay-siliconix

IRFR9020TRLPBF

MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK

nexperia

2N7002BKM,315

MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3

vishay-siliconix

IRFS11N50ATRLP

MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB