מספר מוצר של יצרן:
SI1922EDH-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1922EDH-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
מלאי:
12913443
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1922EDH-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.3A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
198mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.5nC @ 8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
1.25W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
SC-70-6
מספר מוצר בסיסי
SI1922
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI1922EDH-T1-GE3DKR
SI1922EDH-T1-GE3TR
SI1922EDHT1GE3
SI1922EDH-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4947ADY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 3A 8SOIC
SI4670DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
SI4913DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8SOIC
