מספר מוצר של יצרן:
SI1499DH-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1499DH-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
תיאור מפורט:
P-Channel 8 V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6
מלאי:
9846 יחידות חדשות מק originales במלאי
12959595
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1499DH-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
8 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
78mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
800mV @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
650 pF @ 4 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-70-6
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
מספר מוצר בסיסי
SI1499
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI1499DHT1E3
SI1499DH-T1-E3TR
SI1499DH-T1-E3DKR
SI1499DH-T1-E3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFD024
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
IRFR9010
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
IRFR110
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
