מספר מוצר של יצרן:
SI1499DH-T1-BE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1499DH-T1-BE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6
תיאור מפורט:
P-Channel 8 V 1.6A (Ta), 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6
מלאי:
2800 יחידות חדשות מק originales במלאי
12945833
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1499DH-T1-BE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
8 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.6A (Ta), 1.6A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
78mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
800mV @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
650 pF @ 4 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-70-6
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
מספר מוצר בסיסי
SI1499
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SI1499DH-T1-BE3CT
742-SI1499DH-T1-BE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHP12N60E-BE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
IRF720PBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
SI1441EDH-T1-BE3
MOSFET P-CH 20V 4A/4A SC70-6