מספר מוצר של יצרן:
SI1480BDH-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1480BDH-T1-GE3-DG
תיאור:
N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta), 2.38A (Tc) 1.5W (Ta), 2.6W (Tc) Surface Mount SC-70-6
מלאי:
2965 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001164
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1480BDH-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.8A (Ta), 2.38A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
212mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
206 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Ta), 2.6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-70-6
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
מספר מוצר בסיסי
SI1480
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SI1480BDH-T1-GE3CT
742-SI1480BDH-T1-GE3DKR
742-SI1480BDH-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
630AT
N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
PMCA14UNYL
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
DMWS120H100SM4
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4