מספר מוצר של יצרן:
SI1442DH-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1442DH-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
תיאור מפורט:
N-Channel 12 V 4A (Ta) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
מלאי:
19786 יחידות חדשות מק originales במלאי
12915585
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1442DH-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
20mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 8 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1010 pF @ 6 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-70-6
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
מספר מוצר בסיסי
SI1442
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI1442DH-T1-GE3CT
SI1442DH-T1-GE3DKR
SI1442DH-T1-GE3TR
SI1442DHT1GE3
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7686DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
SI4431BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
IRFZ24STRLPBF
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
