מספר מוצר של יצרן:
SI1406DH-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1406DH-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6
מלאי:
12914321
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1406DH-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.1A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
65mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.5 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-70-6
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
מספר מוצר בסיסי
SI1406
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI1406DH-T1-E3TR
SI1406DH-T1-E3DKR
SI1406DH-T1-E3CT
SI1406DHT1E3
SI1406DH-T1-E3-DG
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7431DP-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
SI7720DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
IRFU9214PBF
MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
