מספר מוצר של יצרן:
SI1317DL-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1317DL-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 1.4A (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SC-70-3
מלאי:
7217 יחידות חדשות מק originales במלאי
12915919
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1317DL-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
800mV @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.5 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
272 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Tc)
טמפרטורת פעולה
-50°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-70-3
חבילה / מארז
SC-70, SOT-323
מספר מוצר בסיסי
SI1317
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI1317DL-T1-GE3DKR
SI1317DL-T1-GE3TR
SI1317DL-T1-GE3CT
SI1317DL-T1-GE3-DG
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI6423DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
SQP120N10-09_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
SI7862ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
