SI1032R-T1-E3
מספר מוצר של יצרן:

SI1032R-T1-E3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SI1032R-T1-E3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 140mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A

מלאי:

12915462
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SI1032R-T1-E3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
140mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.75 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±6V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-75A
חבילה / מארז
SC-75, SOT-416
מספר מוצר בסיסי
SI1032

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SI1032R-T1-E3CT
SI1032RT1E3
SI1032R-T1-E3DKR
SI1032R-T1-E3TR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
SI1032R-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
16662
DiGi מספר חלק
SI1032R-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.10
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SI4642DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 34A 8SO

littelfuse

IXFV96N15P

MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220

vishay-siliconix

SI3447CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP

vishay-siliconix

SI7848BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8