מספר מוצר של יצרן:
SI1025X-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1025X-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
מלאי:
34282 יחידות חדשות מק originales במלאי
12962154
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1025X-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
190mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
1.7nC @ 15V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
23pF @ 25V
הספק - מקס'
250mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-563, SOT-666
חבילת מכשירים לספקים
SC-89 (SOT-563F)
מספר מוצר בסיסי
SI1025
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI1025XT1GE3
SI1025X-T1-GE3DKR
SI1025X-T1-GE3TR
SI1025X-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4511DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
SI1917EDH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
MSCSM170HRM075NG
SIC 4N-CH 1700V/1200V 337A
