SI1013X-T1-GE3

מספר מוצר של יצרן:

SI1013X-T1-GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SI1013X-T1-GE3-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

תיאור מפורט:

P-Channel 20 V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3

מלאי:

20598 יחידות חדשות מק originales במלאי

12915815

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SI1013X-T1-GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

TrenchFET®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

350mA (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

450mV @ 250µA (Min)

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

1.5 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±6V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

250mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SC-89-3

חבילה / מארז

SC-89, SOT-490

מספר מוצר בסיסי

SI1013

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

SI1013X-T1-GE3-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

SI1013X-T1-GE3TR

SI1013X-T1-GE3DKR

SI1013XT1GE3

SI1013X-T1-GE3CT

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SIHG24N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

vishay-siliconix

SQR40N10-25_GE3

MOSFET N-CH 100V 40A TO252 REV

vishay-siliconix

SIR696DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7858ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8