IRLZ34SPBF

מספר מוצר של יצרן:

IRLZ34SPBF

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRLZ34SPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 30A TO263

תיאור מפורט:

N-Channel 60 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

1946 יחידות חדשות מק originales במלאי

12912397

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRLZ34SPBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tube

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

30A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

50mOhm @ 18A, 5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

35 nC @ 5 V

VGS (מקס')

±10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1600 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-263 (D2PAK)

חבילה / מארז

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

מספר מוצר בסיסי

IRLZ34

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SI1032X-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

vishay-siliconix

IRFU310

MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA

vishay-siliconix

SI7370ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7476DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8