IRLD110

מספר מוצר של יצרן:

IRLD110

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRLD110-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12910741

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRLD110 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

1A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

540mOhm @ 600mA, 5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

6.1 nC @ 5 V

VGS (מקס')

±10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

250 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.3W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

4-HVMDIP

חבילה / מארז

4-DIP (0.300", 7.62mm)

מספר מוצר בסיסי

IRLD110

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

*IRLD110

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS non-compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

IRLD110PBF

יצרן

Vishay Siliconix

כמות זמינה

4444

DiGi מספר חלק

IRLD110PBF-DG

מחיר ליחידה

0.64

סוג משאב

Direct

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

IRFP23N50LPBF

MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3

vishay-siliconix

IRF9640STRRPBF

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

vishay-siliconix

IRL640STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

littelfuse

IXFR36N50P

MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247