מספר מוצר של יצרן:
IRL630STRRPBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRL630STRRPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12911193
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRL630STRRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRL630
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IRL630STRRPBFCT
IRL630STRRPBFDKR
IRL630STRRPBFTR
IRL630STRRPBF-DG
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RCJ120N20TL
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
33
DiGi מספר חלק
RCJ120N20TL-DG
מחיר ליחידה
0.44
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTY08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
IRLR024PBF
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRLD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
