מספר מוצר של יצרן:
IRL620
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRL620-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12912314
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRL620 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
800mOhm @ 3.1A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
360 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRL620
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRL620
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRL620PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
421
DiGi מספר חלק
IRL620PBF-DG
מחיר ליחידה
0.67
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI3460DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
SI3459DV-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP
SI4487DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8SO
